韓國《首爾經(jīng)濟日報》表示，盡管明年全球經(jīng)濟將放緩，三星電子仍計劃明年在其最大半導體工廠增加芯片產(chǎn)能。據(jù)稱，三星 2023 年存儲器和系統(tǒng)半導體的晶圓產(chǎn)能提高約 10%?！ I(yè)內(nèi)消息人士稱，三星電子將在位于韓國平澤的 P3 工廠增加 DRAM 設(shè)備，12 英寸晶圓月產(chǎn)能可達 7 萬片，明年將把 P3 代工晶圓產(chǎn)能提高 3 萬片(共 10 萬)，高于目前 P3 廠 DRAM 產(chǎn)線的每月 2…
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以往，汽車的動力、材質(zhì)、外形往往是汽車發(fā)展的主要方向，也是車廠和用戶看重的要素。如今，隨著汽車電子化程度的提升以及汽車智能化，網(wǎng)絡(luò)化浪潮的來臨，車內(nèi)半導體數(shù)量猛增， 預(yù)計到2025年，汽車電子成本會占到整車成本的一半左右。半導體芯片已成為推動汽車產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的重要力量之一?！ ⊥瑫r，用戶體驗成為了人們關(guān)注的重點。例如，作為用戶交互的重要載體，車內(nèi)屏幕的進化從來都沒有停下來過，傳統(tǒng)的儀表盤、中控…
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毛細管底部填充(CUF)工藝與塑封底部填充(MUF)工藝對比 傳統(tǒng)底部填充料中二氧化硅等填料的質(zhì)量含量一般在 50%~70%之間，而塑封底部填充料申二氧化硅的質(zhì)量含量高達 80%。同時因為工藝的特點，塑封底部填充料要求一氧化硾的尺寸更小。塑封底部填充技術(shù)與傳統(tǒng)底部填充技術(shù)相比，對工藝進行了簡化，同時提高了生產(chǎn)效率及封裝的可靠性，可以滿足不斷發(fā)展的市場整體產(chǎn)品需求。 整道Underfil…
查看詳情 近幾個月，全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務(wù)提供商長電科技宣布，公司在先進封測技術(shù)領(lǐng)域又取得新的突破，實現(xiàn)4納米(nm)工藝制程手機芯片的封裝，以及CPU、GPU和射頻芯片的集成封裝?！ ?納米芯片是5納米之后、3納米之前*先進的硅節(jié)點技術(shù)，也是導入小芯片(Chiplet)封裝的一部分。作為集成電路領(lǐng)域的頂尖科技產(chǎn)品之一，4納米芯片可被應(yīng)用于智能手機、5G通信、人工智能、自動駕駛，以及包括GPU…
查看詳情 高壓除泡機設(shè)備使用完后的維護和保養(yǎng) 1、檢查高壓除泡機各設(shè)定值是否與使用說明書一致 高壓除泡機使用一段時間后，需要檢查確認設(shè)備溫度調(diào)節(jié)器的各設(shè)定值(SV值、PV值)是否正確，如果PV值設(shè)定混亂的話，即使用裝置是下正常狀態(tài)，也會有溫度高、壓力高的情況出現(xiàn)，所以需要按使用說明書進行設(shè)定?！ ?、檢查門墊是否有傷 高壓除泡機門墊如果有出現(xiàn)損傷現(xiàn)象，加壓時會從門部漏氣，可以聽到漏氣的聲音，需要及…
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硅錠直徑從20世紀50年代初期的不到25mm增加到現(xiàn)在的300mm，硅片直徑的歷史發(fā)展趨勢如圖所示?！ ∧壳吧a(chǎn)直徑為75mm、100mm、125mm和150mm的硅片的設(shè)備仍在使用中，由于把設(shè)備升級成能生產(chǎn)更大直徑的硅片需要花費上億美元，所以最常見的做法是在建設(shè)新工廠時才引入新的硅片直徑。在2000年左右，半導體產(chǎn)業(yè)開始轉(zhuǎn)向300mm直徑的硅片，進而把對硅片直徑的評估測試已經(jīng)提高到400mm…
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芯片3D封裝技術(shù)，又稱為疊層芯片封裝技術(shù)，是指在不改動封裝體尺寸的前提下，在一個封裝體內(nèi)的垂直方向疊放兩個以上芯片的封裝技術(shù)。近年來，支撐3D封裝的關(guān)鍵技術(shù)硅通孔(Through Silicon Via，TSV)不斷獲得突破，國際芯片巨頭加快布局，以TSV為核心的3D封裝技術(shù)已成為業(yè)界公認的新一代封裝技術(shù)的重要發(fā)展方向。在后摩爾時代，如何結(jié)合我國芯片封裝產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢，發(fā)力3D封裝關(guān)鍵共性技…
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以Underfill為例，在CSP、BGA、POP、Flip chip等工藝中中底部填充是封裝技術(shù)中關(guān)鍵的工藝流程之一。簡單來說，底部填充工藝(underfill)是將環(huán)氧樹脂膠水點涂在倒裝晶片邊緣，液體通過氣液界面處的毛細作用滲透到狹窄的間隙中，這一過程稱為微毛細管流動。倒裝芯片封裝中，將底部填充環(huán)氧樹脂填充到芯片和基板之間的間隙中，以防止焊料凸點上的裂縫和熱疲勞導致的電氣故障。硅芯片和…
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1.本技術(shù)涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶圓輔助切割裝置及晶圓壓膜機。 背景技術(shù)： 2.晶圓(wafer)是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓。在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，成為有特定電性功能的集成電路產(chǎn)品。 3.晶圓必須經(jīng)過壓膜才能進行后續(xù)曝光、顯影等工藝。在壓膜過程中，先將單一芯片放置在用臨時鍵合材料或熱釋放膠帶(trt)處理過的襯底上，然后…
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