臺灣真空壓力除泡機 脫泡機設備
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點(diǎn)膠和底部填充的路徑與模式及真空脫泡機

點(diǎn)膠和底部填充的路徑與模式及真空脫泡機

  點(diǎn)膠和底部填充的路徑與模式基本要求  在設計點(diǎn)膠路徑時(shí),不僅要考慮點(diǎn)膠效率和填充流動(dòng)形態(tài),為了在BGA及類(lèi)似器件的邊緣良好成型,還要認真考慮器件邊緣溢膠區域限制。日前的電子產(chǎn)品,由于其高密度組裝特點(diǎn),其溢膠區域通常受到限制。某些特定區域溢膠甚至不能超過(guò)器件邊沿的0.1mm,較普遍的是小于0.2mm,見(jiàn)圖7A和7B;同時(shí)限制區域外的膠痕厚度不能高過(guò)PCB表面20um。由此可見(jiàn),對于手持式產(chǎn)品的高…

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LED除泡方案:碗杯底部、金線(xiàn)下方晶片旁氣泡

LED除泡方案:碗杯底部、金線(xiàn)下方晶片旁氣泡

  此類(lèi)氣泡一般較少并且有規律(1-2pcs左右,基本在同一位置)?! ‘a(chǎn)生此類(lèi)氣泡主要有以下幾方面的原因:  1.點(diǎn)膠機速度過(guò)快。點(diǎn)膠速度過(guò)快是萬(wàn)惡之源?! ?.點(diǎn)膠針頭位置不合理 or 針頭毛刺現象嚴重。位置不合理包括預設針頭初始位置不合理、針頭高度不合理、點(diǎn)膠過(guò)程中機器 or 夾具偏差 or 支架起伏 or 作業(yè)員未按要求統一放置支架所帶來(lái)的針頭偏離合理位置等?! ?.支架吸濕 or 表…

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8英寸碳化硅晶圓技術(shù)有多難-晶圓壓膜機

8英寸碳化硅晶圓技術(shù)有多難-晶圓壓膜機

  包括SiC在內的第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈包括包括襯底→外延→設計→制造→封裝。其中,襯底是所有半導體芯片的底層材料,起到物理支撐、導熱、導電等作用;外延是在襯底材料上生長(cháng)出新的半導體晶層,這些外延層是制造半導體芯片的重要原料,影響器件的基本性能;設計包括器件設計和集成電路設計,其中器件設計包括半導體器件的結構、材料,與外延相關(guān)性很大;制造需要通過(guò)光刻、薄膜沉積、刻蝕等復雜工藝流程在外延片上制作出設計…

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晶圓廠(chǎng)加快建設投產(chǎn)!華潤微等立下“軍令狀”-晶圓壓膜機

晶圓廠(chǎng)加快建設投產(chǎn)!華潤微等立下“軍令狀”-晶圓壓膜機

  1月28日,在廣東省高質(zhì)量發(fā)展大會(huì )上,華潤微電子有限公司總裁李虹、粵芯半導體總裁陳衛分別對外公布了最新項目動(dòng)態(tài),立下“軍令狀”?! ∪A潤微深圳建設的12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線(xiàn)一期總投資額超220億元,爭取2024年年底實(shí)現通線(xiàn)投產(chǎn)!粵芯半導體,加快三期項目建設,爭取2023年年底設備搬入、明年投產(chǎn)!  1、新進(jìn)展!華潤微深圳:12英寸集成電路生產(chǎn)線(xiàn)項目:2024年年底實(shí)現通線(xiàn)投產(chǎn)!  1月…

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SMT貼片加工點(diǎn)膠工藝和技術(shù)要求-ELT真空脫泡機

SMT貼片加工點(diǎn)膠工藝和技術(shù)要求-ELT真空脫泡機

  引線(xiàn)元件通孔插裝(THT)與表面貼裝(SMT)共存的貼插混裝工藝,是當前電子產(chǎn)品生產(chǎn)中采用最普遍的一種組裝方式。在整個(gè)生產(chǎn)工藝流程中,印刷電路板(PCB)其中一面元件從開(kāi)始進(jìn)行點(diǎn)膠固化后,到了最后才能進(jìn)行波峰焊焊接,這期間間隔時(shí)間較長(cháng),而且進(jìn)行其他工藝較多,元件的固化就顯得尤為重要,因而對于點(diǎn)膠工藝的研究分析有著(zhù)重要意義?! MT貼片加工膠水及其技術(shù)要求  SMT中使用的膠水主要用于片式元件…

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微電子封裝點(diǎn)膠技術(shù)的發(fā)展-ELT脫泡機

微電子封裝點(diǎn)膠技術(shù)的發(fā)展-ELT脫泡機

  流體點(diǎn)膠是一種以受控的方式對流體進(jìn)行精確分配的過(guò)程,它是微電子封裝行業(yè)的關(guān)鍵技術(shù)之一。目前,點(diǎn)膠技術(shù)逐漸由接觸式點(diǎn)膠向無(wú)接觸式(噴射)點(diǎn)膠技術(shù)轉變。本文從微電子封裝過(guò)程的應用出發(fā),對點(diǎn)膠技術(shù)的發(fā)展進(jìn)行了概述;在對比各種點(diǎn)膠方式的同時(shí),重點(diǎn)介紹了無(wú)接觸式噴射點(diǎn)膠技術(shù),以及其中所涉及的關(guān)鍵技術(shù),并提出了評價(jià)點(diǎn)膠品質(zhì)的標準?! ×黧w點(diǎn)膠技術(shù)是微電子封裝中的一項關(guān)鍵技術(shù),它可以構造形成點(diǎn)、線(xiàn)、面(涂敷…

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晶圓制造過(guò)程及系統級封裝技術(shù)分析

晶圓制造過(guò)程及系統級封裝技術(shù)分析

  智能時(shí)代,芯片在我們的生活中無(wú)所不在,一顆芯片的誕生,需要經(jīng)過(guò)晶圓制造和芯片成品制造兩大階段?! 【A制造過(guò)程非常復雜,需要經(jīng)歷曝光、蝕刻、離子注入、金屬填充、研磨等一系列步驟后,晶圓上的集成電路才能最終成型?! ∪欢A本身是“脆弱”且“封閉”的,無(wú)法直接使用,只有經(jīng)過(guò)封裝和測試流程,才能最終生產(chǎn)出獨立、連通、可靠的芯片成品?! ∧敲?,芯片究竟是怎樣被封裝的呢?  我們首先介紹一種技術(shù)成熟、…

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三星電子計劃明年擴大晶圓代工產(chǎn)能 急需晶圓壓膜機

三星電子計劃明年擴大晶圓代工產(chǎn)能 急需晶圓壓膜機

  韓國《首爾經(jīng)濟日報》表示,盡管明年全球經(jīng)濟將放緩,三星電子仍計劃明年在其最大半導體工廠(chǎng)增加芯片產(chǎn)能。據稱(chēng),三星 2023 年存儲器和系統半導體的晶圓產(chǎn)能提高約 10%?! I(yè)內消息人士稱(chēng),三星電子將在位于韓國平澤的 P3 工廠(chǎng)增加 DRAM 設備,12 英寸晶圓月產(chǎn)能可達 7 萬(wàn)片,明年將把 P3 代工晶圓產(chǎn)能提高 3 萬(wàn)片(共 10 萬(wàn)),高于目前 P3 廠(chǎng) DRAM 產(chǎn)線(xiàn)的每月 2…

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先進(jìn)半導體封裝技術(shù)助力汽車(chē)電子發(fā)展

先進(jìn)半導體封裝技術(shù)助力汽車(chē)電子發(fā)展

  以往,汽車(chē)的動(dòng)力、材質(zhì)、外形往往是汽車(chē)發(fā)展的主要方向,也是車(chē)廠(chǎng)和用戶(hù)看重的要素。如今,隨著(zhù)汽車(chē)電子化程度的提升以及汽車(chē)智能化,網(wǎng)絡(luò )化浪潮的來(lái)臨,車(chē)內半導體數量猛增, 預計到2025年,汽車(chē)電子成本會(huì )占到整車(chē)成本的一半左右。半導體芯片已成為推動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新的重要力量之一?! ⊥瑫r(shí),用戶(hù)體驗成為了人們關(guān)注的重點(diǎn)。例如,作為用戶(hù)交互的重要載體,車(chē)內屏幕的進(jìn)化從來(lái)都沒(méi)有停下來(lái)過(guò),傳統的儀表盤(pán)、中控…

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