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陶瓷封裝將成為主流電子封裝技術(shù)

陶瓷封裝將成為主流電子封裝技術(shù)

  電子元件長(cháng)期在高溫、高濕等環(huán)境下運轉將導致其性能惡化,甚至可能會(huì )被破壞。因而,需要采用有效的封裝方式,不斷提高封裝材料的性能,才能使得電子元件在外界嚴苛的使用環(huán)境下保持良好的穩定性?! ∫?、三大封裝材料統領(lǐng)封裝領(lǐng)域  電子封裝材料組成分來(lái)看,主要分為金屬基、陶瓷基和塑料基封裝材料?! √沾?、塑料、金屬三大封裝材料陶瓷封裝在高致密封裝中具有較大發(fā)展潛力,屬于氣密性封裝。主要材料有Al2O3、AI…

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新一代晶圓級封裝(WLCSP)技術(shù)介紹

新一代晶圓級封裝(WLCSP)技術(shù)介紹

  WLCSP(Wafer-Level Chip-Scale Package)是一種將晶圓級封裝(WLP)和芯片尺寸封裝(CSP)合為一體的封裝技術(shù)。芯片尺寸封裝(CSP)是指整個(gè)package的面積相比于silicon總面積不超過(guò)120%的封裝技術(shù)。該技術(shù)有效促進(jìn)集成電路的小型化,但是其不適合服務(wù)器級處理器的應用。晶圓級封裝(WLP)是指在晶圓前道工序完成后,直接對晶圓進(jìn)行封裝,再切割分離成…

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晶圓代工企業(yè)日子不好過(guò) 期盼下半年復蘇-ELT晶圓壓膜機

晶圓代工企業(yè)日子不好過(guò) 期盼下半年復蘇-ELT晶圓壓膜機

  臺積電的庫存去化時(shí)間將比原先預期更長(cháng)。由于總體經(jīng)濟不佳和市場(chǎng)需求疲弱,庫存去化可能要到今年第三季才能結束。雖然受到庫存調整的持續影響,不含存儲器的半導體產(chǎn)業(yè)、晶圓代工產(chǎn)業(yè)以及臺積電本身的營(yíng)收都將衰退,但臺積電的表現仍將優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均水平?! hatGPT的走紅引起了AI風(fēng)潮,業(yè)界關(guān)注ChatGPT效應是否有助于晶圓代工廠(chǎng)商的后續發(fā)展。魏哲家表示,ChatGPT確實(shí)對庫存去化有所幫助,但目前能預…

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焊點(diǎn)中空洞形成的機理及除氣泡方案

焊點(diǎn)中空洞形成的機理及除氣泡方案

  焊點(diǎn)中空洞形成的機理多年來(lái)一直是研究的主題。已經(jīng)確定了許多空洞類(lèi)型和形成機制。最引人注目的是大空洞,大空洞形成的主要因素似乎是焊膏中的化學(xué)成分?! ∥⒖斩?、收縮空洞和Kirkendall空洞也是眾所周知的和備有證據的空洞類(lèi)型,但不屬于本文的討論范圍。多年來(lái)已建立了許多減少空洞形成的技術(shù)?! ≌{整焊膏化學(xué)成分、回流焊溫度曲線(xiàn)、組件、PCB 和模板設計或涂飾,是當前正在廣泛使用的一些優(yōu)化工具?!?/p> 查看詳情


先進(jìn)晶圓級封裝技術(shù)主要包括的五大要素

先進(jìn)晶圓級封裝技術(shù)主要包括的五大要素

  先進(jìn)晶圓級封裝技術(shù),主要包括了五大要素:  01 晶圓級凸塊(Wafer Bumping)技術(shù)  02 扇入型(Fan-In)晶圓級封裝技術(shù)  03 扇出型(Fan-Out)晶圓級封裝技術(shù)  04 2.5D 晶圓級封裝技術(shù)(包含IPD)  05 3D 晶圓級封裝技術(shù)(包含IPD)  晶圓凸塊(Wafer Bumping),顧名思義,即是在切割晶圓之前,于晶圓的預設位置上形成或安裝焊球(亦稱(chēng)凸塊…

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真空壓膜機高深寬比干膜填覆技術(shù)對比分析-真空貼膜機

真空壓膜機高深寬比干膜填覆技術(shù)對比分析-真空貼膜機

  目前熱門(mén)的3D IC封裝、HBM以及FOWLP等先進(jìn)封裝工藝都可見(jiàn)到真空壓膜機的蹤跡?! ≌婵諌耗ねǔJ侵冈谠O備的真空模塊內將干膜材料與基材進(jìn)行貼合,完成加熱壓膜動(dòng)作,常見(jiàn)的真空壓膜機通常都是采用單段加壓覆膜以及預貼膜的方式,但該方式對于表面具有許多細微凸凹結構的晶圓(如高深寬比TSV孔洞、高密度Cu Pillar Bump等)無(wú)法滿(mǎn)足其高深寬比結構的干膜填覆的晶圓級封裝需求;另外,先…

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芯片與粘接材料間空洞解決方案-ELT除泡機

芯片與粘接材料間空洞解決方案-ELT除泡機

  芯片與粘接材料間空洞解決方案  引起膠水氣泡的原因一般有兩種,其一,在倒入膠水時(shí)候,導致空氣進(jìn)入膠水內部,而膠水黏度比較高,使空氣無(wú)法從中逃脫;其二,調試膠水不均勻,兩種就是導致膠水出現氣泡最直接的原因。芯片粘接過(guò)程中空洞的出現會(huì )導致很多問(wèn)題的出現,最嚴重,全線(xiàn)無(wú)法生產(chǎn),需要保證粘接效果無(wú)氣泡也是非常重要的?! ≌辰雍附託馀萁鉀Q方案:  01 潔凈度  使用芯片粘接工藝時(shí),應保證粘接界面有良好…

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國內功率半導體市場(chǎng)爆發(fā) 除泡難題急帶解決

國內功率半導體市場(chǎng)爆發(fā) 除泡難題急帶解決

  功率半導體的功能主要是對電能進(jìn)行轉換,對電路進(jìn)行控制,改變電子裝置中的電壓和頻率,直流或交流等,具有處理高電壓,大電流的能力?! ≡谶^(guò)去相當長(cháng)的一段時(shí)間里,功率半導體市場(chǎng)一直由歐、美、日等外資巨頭牢牢占據著(zhù)主導地位,隨著(zhù)近年來(lái)新能源汽車(chē)的發(fā)展,許多本土企業(yè)也紛紛入局。放眼市場(chǎng),不論是傳統Si功率器件IGBT、MOSFET,還是以SiC、GaN等為代表的第三代半導體,國內都有企業(yè)布局?! ?1 …

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先進(jìn)封裝TSV硅通孔技術(shù)及除氣泡解決方案

先進(jìn)封裝TSV硅通孔技術(shù)及除氣泡解決方案

  什么是TSV?TSV是硅通孔的簡(jiǎn)寫(xiě),利用通孔進(jìn)行垂直的電連接,貫穿WAFER或芯片。一般來(lái)講這種技術(shù)被一些類(lèi)似臺積電,聯(lián)電和格芯等全球代工廠(chǎng)代工廠(chǎng)制造的。TSV可以替代引線(xiàn)鍵合和倒裝焊技術(shù)?! SV用于2.5 d和3 d封裝,用于電連接。根據TSV被制作的時(shí)間順序有3種類(lèi)型的TSV,分別指在晶圓制作工藝中的前,中或后段。第一個(gè)在晶圓制作工藝前段,意味著(zhù)TSV在FEOL段前加工而成。因此工…

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