晶圓級真空壓膜機是一種高精度的加工設(shè)備,通常被用于半導(dǎo)體工業(yè)中的制造過程。該設(shè)備采用真空技術(shù)和壓力控制技術(shù)對物料進行加工和涂覆,從而獲得更高質(zhì)量的半導(dǎo)體材料和元器件。目前市面上有許多品牌的晶圓級真空壓膜機,本文將為您介紹其中幾個比較知名的品牌以及性能特點,幫助您了解選購時應(yīng)該考慮哪些因素?! 【A級真空壓膜機的工作原理 晶圓級真空壓膜機主要由真空系統(tǒng)、壓力控制系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、物料夾持系統(tǒng)、涂…
查看詳情而得益于新型導(dǎo)電材料的發(fā)展,應(yīng)用于電子線路板生產(chǎn)制造的EAMP?技術(shù)日趨成熟,“材料+工藝”配套技術(shù)已實現(xiàn)全面突破,生產(chǎn)產(chǎn)品完成各端驗證,當下已經(jīng)發(fā)展成為一種滿足商業(yè)化標準、可大規(guī)模應(yīng)用的生產(chǎn)手段。同時,這種新型線路板級電子增材制造(EAMP?)技術(shù)的出現(xiàn),可有效應(yīng)對當前電子制造業(yè)面臨的難題。接下來,我們將深入探討線路板級EAMP?技術(shù)及其優(yōu)勢?! 【€路板級電子增材制造(EAMP?)技術(shù) 線…
查看詳情電子元件長期在高溫、高濕等環(huán)境下運轉(zhuǎn)將導(dǎo)致其性能惡化,甚至可能會被破壞。因而,需要采用有效的封裝方式,不斷提高封裝材料的性能,才能使得電子元件在外界嚴苛的使用環(huán)境下保持良好的穩(wěn)定性?! ∫弧⑷蠓庋b材料統(tǒng)領(lǐng)封裝領(lǐng)域 電子封裝材料組成分來看,主要分為金屬基、陶瓷基和塑料基封裝材料?! √沾伞⑺芰?、金屬三大封裝材料陶瓷封裝在高致密封裝中具有較大發(fā)展?jié)摿?,屬于氣密性封裝。主要材料有Al2O3、AI…
查看詳情WLCSP(Wafer-Level Chip-Scale Package)是一種將晶圓級封裝(WLP)和芯片尺寸封裝(CSP)合為一體的封裝技術(shù)。芯片尺寸封裝(CSP)是指整個package的面積相比于silicon總面積不超過120%的封裝技術(shù)。該技術(shù)有效促進集成電路的小型化,但是其不適合服務(wù)器級處理器的應(yīng)用。晶圓級封裝(WLP)是指在晶圓前道工序完成后,直接對晶圓進行封裝,再切割分離成…
查看詳情臺積電的庫存去化時間將比原先預(yù)期更長。由于總體經(jīng)濟不佳和市場需求疲弱,庫存去化可能要到今年第三季才能結(jié)束。雖然受到庫存調(diào)整的持續(xù)影響,不含存儲器的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、晶圓代工產(chǎn)業(yè)以及臺積電本身的營收都將衰退,但臺積電的表現(xiàn)仍將優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均水平。 ChatGPT的走紅引起了AI風(fēng)潮,業(yè)界關(guān)注ChatGPT效應(yīng)是否有助于晶圓代工廠商的后續(xù)發(fā)展。魏哲家表示,ChatGPT確實對庫存去化有所幫助,但目前能預(yù)…
查看詳情焊點中空洞形成的機理多年來一直是研究的主題。已經(jīng)確定了許多空洞類型和形成機制。最引人注目的是大空洞,大空洞形成的主要因素似乎是焊膏中的化學(xué)成分?! ∥⒖斩础⑹湛s空洞和Kirkendall空洞也是眾所周知的和備有證據(jù)的空洞類型,但不屬于本文的討論范圍。多年來已建立了許多減少空洞形成的技術(shù)?! ≌{(diào)整焊膏化學(xué)成分、回流焊溫度曲線、組件、PCB 和模板設(shè)計或涂飾,是當前正在廣泛使用的一些優(yōu)化工具。…
查看詳情先進晶圓級封裝技術(shù),主要包括了五大要素: 01 晶圓級凸塊(Wafer Bumping)技術(shù) 02 扇入型(Fan-In)晶圓級封裝技術(shù) 03 扇出型(Fan-Out)晶圓級封裝技術(shù) 04 2.5D 晶圓級封裝技術(shù)(包含IPD) 05 3D 晶圓級封裝技術(shù)(包含IPD) 晶圓凸塊(Wafer Bumping),顧名思義,即是在切割晶圓之前,于晶圓的預(yù)設(shè)位置上形成或安裝焊球(亦稱凸塊…
查看詳情目前熱門的3D IC封裝、HBM以及FOWLP等先進封裝工藝都可見到真空壓膜機的蹤跡。 真空壓膜通常是指在設(shè)備的真空模塊內(nèi)將干膜材料與基材進行貼合,完成加熱壓膜動作,常見的真空壓膜機通常都是采用單段加壓覆膜以及預(yù)貼膜的方式,但該方式對于表面具有許多細微凸凹結(jié)構(gòu)的晶圓(如高深寬比TSV孔洞、高密度Cu Pillar Bump等)無法滿足其高深寬比結(jié)構(gòu)的干膜填覆的晶圓級封裝需求;另外,先…
查看詳情芯片與粘接材料間空洞解決方案 引起膠水氣泡的原因一般有兩種,其一,在倒入膠水時候,導(dǎo)致空氣進入膠水內(nèi)部,而膠水黏度比較高,使空氣無法從中逃脫;其二,調(diào)試膠水不均勻,兩種就是導(dǎo)致膠水出現(xiàn)氣泡最直接的原因。芯片粘接過程中空洞的出現(xiàn)會導(dǎo)致很多問題的出現(xiàn),最嚴重,全線無法生產(chǎn),需要保證粘接效果無氣泡也是非常重要的?! ≌辰雍附託馀萁鉀Q方案: 01 潔凈度 使用芯片粘接工藝時,應(yīng)保證粘接界面有良好…
查看詳情